纳米尺度非线性拓扑磁性物态如磁性斯格明子（Skyrmion）、反斯格明子（Antiskyrmion）、磁性涡旋（Vortex）、反涡旋（Antivortex）以及磁泡（Bubble）等，特别是斯格明子(Skyrmion)态，由于其拓扑保护稳定性、纳米小尺寸、磁场、温度和电场等多通道调控等特性而引起学术界的广泛关注，有望作为下一代高密度磁存储器件的信息单元载体。这些拓扑磁性物态的产生和调控与许多物理现象密切关联，例如：Aharonov-Bohm效应、Berry相效应、 拓扑霍尔效应、自旋转移力矩效应、自旋-轨道耦合效应等。所以，从微观角度深入研究拓扑物态与磁性、电磁性能的关系，不但可以深入理解磁性物态对材料物理性能的贡献，还可以通过调控材料的物态促进其应用。

中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家实验室（筹）磁学国家重点实验室M07研究组副研究员张颖多年致力于透射电子显微镜研究微观结构与新奇物性的关联，并于近期利用洛伦兹透射电子显微镜研究磁畴结构高空间分辨率的优势，分别在偶极相互作用的块体材料和界面DMI相互作用的多层膜两大体系中，系统研究了磁性斯格明子（Skyrmion）的生成及调控，对非晶材料磁涡旋结构(Vortex) 进行了外场调控，取得系列成果。

张颖与物理所M05组研究员王文洪等人合作，首次在具有中心对称六角合金MnNiGa中，利用Lorentz透射电镜直接观察到宽温区双涡旋磁性斯格明子（biskyrmion），并对磁结构进行了解析。在前期工作基础上，针对该体系中双斯格明子密度不高，且撤掉磁场双斯格明子即会湮灭的不足，张颖和博士研究生彭丽聪等，在上述六角MnNiGa合金中分别利用洛伦兹透射电镜的样品杆施加电流、改变温度等原位调控，实现了宽温区、零场稳定的高密度双斯格明子，并与相关研究者合作，对实验现象给出了合理的解释。该工作克服了斯格明子的强磁场、低温窄温区的保存条件以及低密度的不足，使其有望在非易失性磁存储器件得到应用，相关研究成果分别发表在npj Quantum Materials和Nano Letters上。

在界面对称性破缺的多层膜体系中，磁性斯格明子可以在室温附近稳定存在，并能实现低电流驱动，其参数易调、与器件的良好兼容性以及电流调控行为的优势使其更有利于实际应用。目前主要集中在具有垂直磁各向异性的多层膜材料体系中，但在这种垂直磁各向异性多层膜中，外加磁场生成的磁性斯格明子密度一般较低且需要外场维持。M07组利用磁控溅射生长了系列Pt/Co/Ta多层膜体系，张颖和博士生何敏等分析了斯格明子的生成规律，得到了尺寸50纳米以下的斯格明子，并通过洛伦兹透射电镜施加原位电流调控实现了斯格明子密度可控，在最佳条件下得到了高密度的零场下稳定存在的斯格明子。相关成果申请了中国发明专利，部分研究成果发表在Applied Physics Letters上。

张颖和博士研究生左淑兰等在含有高丰度稀土Ce元素的CeFeB非晶合金中首次发现了Vortex磁畴结构，对非线性磁涡旋vortex-antivortex的磁畴结构的生成以及在外加磁场，电场，温度场的作用下的演变做了系统研究。Vortex结构作为一种拓扑磁畴结构在信息存储领域有潜在的应用，之前在非晶坡镆合金中研究较多。在CeFeB合金中vortex的生成以及调控研究拓展了高丰度稀土元素的新应用，相关研究成果发表在Acta Materialia上。

该系列工作在与诸多国内外研究者的合作下完成，并得到了国家重点基础研究发展计划、国家重点研究与发展项目、国家自然科学基金委、中科院青年创新促进协会项目等的资助。